MOS FETのスイッチング速度

MOS FETのスイッチング速度を速くするには、

①Ｖgs(th)低い。

②ゲート内部抵抗rＧが低い

③電極間容量が小さい

素子を選択することが大事。

しかし実際には、これだけのパラメータではパワーMOSの選択はできない。

もっとも大きな指標が耐電圧VDSSや最大ドレイン電流IDSSになっているからである。